Page 221 - Докторська дисертація_Ткачук

221

(111), (200) і (220) оксинітридної фази TiNxO1–x (рис. 5.32, спектри 2). Відносна

інтенсивність цих рефлексів шару на базі фази TiN вища, ніж на базі фази Ti2N.

Склад оксинітриду титану залежить від попередньо сформованого

нітриду. Згідно зі залежністю параметра ґратки оксинітриду титану від вмісту

азоту [295], після одноступеневого окиснення нітридного шару на базі фази

Ti2N формується оксинітрид титану з більшим вмістом кисню, ніж після

окиснення на базі фази TiN, про що свідчить вище значення параметра ґратки

оксинітриду титану (0,4270 проти 0,4242 нм). Це пов’язано з меншим ступенем

укомплектування неметалевої підґратки нітриду титану Ti2N перед

окисненням.

Після двоступеневого окиснення відносна інтенсивність рефлексів

оксинітридної фази зростає (рис. 5.32, спектри 3). Вміст кисню в оксинітриді

титану зменшується, що пов’язано з пришвидшенням дифузійних процесів за

вищої температури окиснення (850 проти 650°С). При цьому вміст кисню в

оксинітриді титану, сформованому на базовому шарі Ti2N, більший, ніж на

базовому шарі TiN. Параметр його кристалічної гратки зі зміною шару Ti2N на

TiN збільшується від 0,4245 до 0,4274 нм. Таким чином, вміст кисню в

оксинітриді титану більший за його формування на базовому шарі Ti2N та

одноступеневого окиснення (рис. 5.33).

Рисунок 5.33 – Параметр ґратки оксинітриду титану залежно від умов

його формування: 1, 2 – базові Ti2N та TiN покриття; I, II – одно- та

двоступеневе окиснення.