Page 48 - Докторська дисертація_Ткачук

48

швидкість осадження (0,03-0,2 мкм/хв) [99]. Отримання щільних,

низькодефектних однорідних плівок методом MOCVD пов'язане з

необхідністю синтезу прекурсорів з високою реакційною здатністю, причому

хімічна чистота таких прекурсорів повинна бути не гіршою за 99,999 %. Такі

вимоги до прекурсорів призводять до їх високої вартості, що стримує широке

використання MOCVD.

Метод магнетронного напилення – це технологія нанесення покриттів на

підкладку за допомогою магнетронних розпилювальних систем (або так

званих магнетронів) [120]. Біля поверхні розпиляючого катоду (мішені) за

допомогою перехресних магнітного та електричного полів формується шар

плазми високої щільності. Це підвищує густину струму плазми та швидкість

іонного напилення. Магнетронне напилення дозволяє отримувати покриття

без порушення стехіометрії чи вихідного співвідношення компонентів

розпилюваної мішені.

TiNxOy плівки товщиною 200 нм формували методом магнетронного

напилення, змінюючи швидкість потоку кисню [123]. Згідно ідентифікації

дифракційних кілець, мікроструктура TiN плівки може бути описана як типова

дифракційна гранецентрована кубічна (ГЦК) структура типу NaCl з дуже

малими кристалітами. Три основні дифракційні кільця легко ідентифікуються

за рефлексами (111), (200), (220) структури TiN (рис. 1.5). При швидкості

3
потоку кисню 16 см /хв у плівці TiNxOy спостерігається лише невелика ступінь
кристалічності. Сформована плівка, в основному, містить аморфну фазу

TiNxOy та незначну кількість кристалічної фази TiN (111). Автори вважають,

що кристалічна мікроструктура TiN трансформується у TiNxOy зі збереженням

незначної частки кристалічної фази TiN (111) зі збільшенням потоку кисню.

Параметр ґратки сформованої оксинітридної фази (0,576 нм) зростає

порівняно з періодом ґратки нітриду (0,420 нм). Таке структурне спотворення

спричинене киснем, який займає позиції втілення всередині ґратки нітриду

титану.