Page 257 - Докторська дисертація_Ткачук

257

збільшилася як товщина покриття (140 мкм), так і шорсткість поверхні

(Ra = 8,71 мкм).

На дифрактограмі (рис. 6.1 б, спектр 5), знятій з поверхні осадженого за

220 В покриття, інтенсивність рефлексів ідентифікованих фаз знижується, а

фазовий склад аналогічний до отриманого за нижчої напруги. Шорсткість

поверхні співмірна зі шорсткістю покриття, сформованого за напруги 200 В, і

становить 8,89 мкм. Згідно з результатами СЕМ-аналізу поверхні покриття,

крім сферолітів, фіксуються включення голчастої структури (рис. 6.2 ґ), що

також характерно для кристалічної будови гідроксиапатитів. Співвідношення

Са/P=0,54. Потовщення покриття призводить до зменшення поверхневої

поруватості, яка становить 18,64%. Середній розмір пор зменшується у

~ 2 рази і становить 2,5 мкм.

Згідно з розподілом елементів за глибиною (рис. 6.3), для покриття,

сформованого за напруги 220 В, встановлено, що максимальна концентрація

Са, Р та О знаходиться на глибині до 150 мкм, що підтверджує формування на

поверхні шару гідроксиапатиту. На глибині 150…200 мкм концентрація Са

зменшується і формується монокальцій фосфат моногідрат Сa(H2PO4)2·H2O.

Зростання концентрації Р, О i Ті підтверджує формування пірофосфату титану

TiP2O7.

Рисунок 6.3 – Розподіл елементів у кальцій-фосфатному покритті,

сформованому за напруги осадження 220 В.