Page 245 - Korniy_dyser

245

спричиняє зростання енергії адгезії для всіх вибраних металів внаслідок
відхилення попередніх орієнтаційних положень молекул гліцерину, котрі

послабляли адгезію поверхонь. Натомість аніони хлору проникають у
прошарки між поверхнею металу і молекулою гліцерину та притягують

разом із собою молекулу води, активуючи цим поверхневий атом металу,
частково іонізуючи його і викликаючи загальний ріст енергії адгезії. Однак

вплив молекули гліцерину все ще залишався істотним, і тому енергія адгезії

стає меншою від тієї, що стосувалась дії аніонів хлору на енергію адгезії

металів у водному середовищі.

Детальний аналіз електронної структури поверхні кластерів [376]

показав суттєву зміну заряду та спінових густин поверхні за наявності

частинок корозивного середовища. Для зручності розглядали питому густину

заряду поверхні σ, яка розраховувалась нами відношенням суми всіх зарядів

поверхні кластера металу до її площі.

Збільшення енергії контактної взаємодії в даній моделі ми пов’язуємо

зі зміною густини поверхневого заряду на контактуючих кластерах металів,

що особливо помітно за наявності іонів хлору. Інша причина – поява

нескомпенсованих валентностей або орбіталей, які виникають під час

адсорбції та зумовлені послабленням міжатомних зв’язків.

У всіх випадках під час контакту різнорідних металів поверхня

алюмінію отримувала частковий негативний заряд, а поверхня заліза –

частковий позитивний. Це зумовлено, в першу чергу більшою

електронегативністю заліза порівняно з алюмінієм. Розрахунки показали

(рис. 6.5), що під час наближення різнорідних кластерів існує певний

зарядовий максимум, величина якого міняється залежно від складу

середовища. Так, внесення води у міжкластерний простір призводить до

зменшення рівноважної віддалі від 2,165 Å до 1,963 Å. Додавання іонів хлору

до води викликає зворотній зсув цієї віддалі аж до 2,202 Å, тоді як за

внесення молекули гліцерину знову зменшується рівноважна віддаль до 1,826

Å. Такий вплив середовища на поверхневі заряди кластерів повинен