Page 199 - Korniy_dyser
P. 199

199

                  підтверджено  розрахунками  розподілу  електронного  заряду  на  атомах
                  рамноліпіду. Локальна електронна густина або заряд є важливим параметром


                  для  багатьох  хімічних  реакцій  і  фізико-хімічних  властивостей  молекулв.
                  Тому,  параметри  засновані  на  розрахованому  заряді  можна  широко


                  використовувати  як  хімічні  показники  реакційної  здатності  або  як
                  характеристики слабких міжмолекулярних взаємодій. На практиці квантово-


                  хімічних  розрахунків  використовують  поняття  часткового  атомного  заряду,

                  значення  якого  залежить  від  методу,  що  використовується  для  опису  двох

                  сусідніх  атомів.  Атом  з  найбільшим  негативним  частковим  зарядом

                  вважається  можливим  місцем  зв’язування  молекули  з  поверхнею  металу.

                  Тобто  негативніше  заряджені  атоми  деяких  функціональних  груп  можуть

                  взаємодіяти з атомами металу на поверхні або іонами металів у середовищі з

                  утворенням  зв’язку  за  донорно-акцепторним  механізмом.  Електрофільні

                  атаки молекули відбуваються на ділянках негативного заряду. Це означає, що

                  ділянки  іонної  реактивності  можна  оцінити  із  зарядів  атомів  у  молекулі.

                  Середні  значення  маллікеновських  зарядів  на  атомі  кисню,  розраховані  на

                  функціональних  групах  рамноліпіду,  такі:  0,5403e  (карбоксильна),  0,4692e

                  (карбонільна) і 0,5062e (гідроксильна).

                         Такий результати підтверджують розрахунки функцій Фукуї (табл. 4.2),

                  що  дало  змогу  встановити  центри  в  молекулі,  на  яких  найбільш  вірогідні

                  нуклеофільні,  електрофільні  і  радикальні.  Функції  Фукуї  для  центрів  з

                  підвищеною  електронною  густиною  (наприклад,  атоми  сприйнятливі  до

                  електрофільної  атаки)  та  пониженою  електронною  густиною  (тобто  атоми,

                  які  чутливі  до  нуклеофільної  атаки)  оцінювали  з  використанням  методу

                  кінцевих  різниць  [309].  В  цьому  випадку  переважним  місцем  для
                                                                                                         +
                  нуклеофільної  атаки  є  атом  (або  група)  в  молекулі,  де  функція  f K   має

                  найбільше значення, в той час як місце для електрофільного атаки є атом (або
                                                            -
                  група)  в  молекулі,  де  значення  f K   –  найвище.  Відповідно  рамноліпід  може

                  адсорбуватися  на  поверхні  металу,  використовуючи  ці  активні  центри,  що

                  призводить до інгібування.
   194   195   196   197   198   199   200   201   202   203   204