Page 199 - Korniy_dyser
P. 199
199
підтверджено розрахунками розподілу електронного заряду на атомах
рамноліпіду. Локальна електронна густина або заряд є важливим параметром
для багатьох хімічних реакцій і фізико-хімічних властивостей молекулв.
Тому, параметри засновані на розрахованому заряді можна широко
використовувати як хімічні показники реакційної здатності або як
характеристики слабких міжмолекулярних взаємодій. На практиці квантово-
хімічних розрахунків використовують поняття часткового атомного заряду,
значення якого залежить від методу, що використовується для опису двох
сусідніх атомів. Атом з найбільшим негативним частковим зарядом
вважається можливим місцем зв’язування молекули з поверхнею металу.
Тобто негативніше заряджені атоми деяких функціональних груп можуть
взаємодіяти з атомами металу на поверхні або іонами металів у середовищі з
утворенням зв’язку за донорно-акцепторним механізмом. Електрофільні
атаки молекули відбуваються на ділянках негативного заряду. Це означає, що
ділянки іонної реактивності можна оцінити із зарядів атомів у молекулі.
Середні значення маллікеновських зарядів на атомі кисню, розраховані на
функціональних групах рамноліпіду, такі: 0,5403e (карбоксильна), 0,4692e
(карбонільна) і 0,5062e (гідроксильна).
Такий результати підтверджують розрахунки функцій Фукуї (табл. 4.2),
що дало змогу встановити центри в молекулі, на яких найбільш вірогідні
нуклеофільні, електрофільні і радикальні. Функції Фукуї для центрів з
підвищеною електронною густиною (наприклад, атоми сприйнятливі до
електрофільної атаки) та пониженою електронною густиною (тобто атоми,
які чутливі до нуклеофільної атаки) оцінювали з використанням методу
кінцевих різниць [309]. В цьому випадку переважним місцем для
+
нуклеофільної атаки є атом (або група) в молекулі, де функція f K має
найбільше значення, в той час як місце для електрофільного атаки є атом (або
-
група) в молекулі, де значення f K – найвище. Відповідно рамноліпід може
адсорбуватися на поверхні металу, використовуючи ці активні центри, що
призводить до інгібування.