Page 43 - дсрт
P. 43

43
               кого азоту, а SDD – до температури менше -30 °С. Детектори забезпечують ана-

               ліз  будь-яких  елементів  від  берилію  до  плутонію  і  близькі  за  аналітичними

               характеристиками в діапазоні енергій 0…12 кеВ. За більш високої енергії Si(Li)

               перевершує  SDD/ADD  по  ефективності  реєстрації  випромінювання  через

               відмінності  в  товщині  кристала  (3  мм  і  0,3  мм  відповідно).  Більшість  Si(Li)

               детекторів також мають перевагу щодо вирішення в області малих енергій (до

               1…2  кеВ).  Перевага  SDD/ADD  детекторів  –  більш  вища  швидкість  обробки

               сигналу.  Крім  того,  в  цьому  випадку  не  потрібно  рідкого  азоту  для

               охолодження.

                      Площа кристалів сучасних Si (Li) детекторів Oxford Instruments  – INCA

                                         2
                                                                      2
               Penta FET-x3 – 30 мм , а ADD x-ACT – 10 мм . У зв‘язку з цим головна перевага
                                                                                                  2
               INCA Penta FET-x3 – чутливість в три рази вища порівняно з 10 мм  Si(Li) або
                       2
               10  мм   ADD/SDD  за  звичайних  умов  спостереження  без  втрат  в  аналітичних
               характеристиках.  Область  застосування  INCA  Penta  FET-x3  –  аналіз

               наноструктур  і  чутливих  до  електронного  зонду  зразків  при  малих  струмах

               зонда і низьких пришвидшуючих напругах.

                      Головні переваги ADD детектора Inca X-act – дуже висока продуктивність

               аналізу  при  високому  струмі  зонда  і  високій  інтенсивності  рентгенівського

               сигналу: точний аналіз можна виконати лише за 5 секунд. Область застосування

               ADD детектора Inca X-act – всюди, де є можливість отримання високого струму

               зонда  на  зразку  (>  3…10  нА),  –  на  РЕМ  з  вольфрамовим  катодом  або  з

               автоемісійним катодом Шотткі, на зразках, стійких під електронним зондом.

                      Сигнал  від  детектора  передається  в  цифровий  процесор  імпульсів  Inca

               x-Stream,  який  вимірює  його  для  визначення  енергії  кожного  рентгенівського

               імпульсу.  Система  захоплення  зображення  Inca  Mics  дозволяє  отримувати

               цифрові  електронні  зображення  і  здійснювати  управління  мікроскопом.  Для

               аналізу  та  інтерпретації  отриманих  даних  використовують  аналізатор  –

               комп‘ютер і програму Inca Energy SEM.

                      Характеристики детектора і системи обробки сигналу  – базові чинники,

               що  визначають  аналітичні  характеристики  системи  мікроаналізу  в  цілому.

               Критеріями їх оцінки є:
   38   39   40   41   42   43   44   45   46   47   48