Page 2 - НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
P. 2

2

                                                       АНОТАЦІЯ

                      Задорожна  Х.Р.  Підвищення  абразивної  зносостійкості  алюмінієвих

               сплавів  формуванням  покриттів,  зміцнених  карбідами  SіC  та  VC.  –

               Кваліфікаційна наукова праця на правах рукопису.

                      Дисертація  на  здобуття  наукового  ступеня  кандидата  технічних  наук  за

               спеціальністю 05.02.01  – матеріалознавство.  – Фізико-механічний інститут ім.

               Г.В. Карпенка НАН України, Львів, 2019.



                      Дисертаційна робота присвячена встановленню закономірностей форму-

               вання структури поверхневих шарів алюмінієвих сплавів шляхом їх лазерного

               модифікування часточками карбіду SіC та високошвидкісного газополуменево-

               го  напилення покриттів з  додаванням  карбіду  VC, як  альтернативних способів

               зміцнення для заміни гальванічного хромування, та оцінювання їх зносостійкості

               за  випробувань  жорстко  закріпленим  та  незакріпленим  абразивами,  а  також

               корозійно-електрохімічних властивостей у нейтральних водних середовищах.

                      Встановлено,  що  на  властивості  модифікованих  шарів  впливає  низка


               технологічних чинників. Одними з визначальних серед них є: енергія лазерного
               променя,  розмір  часточок  SiC,  температура  підігріву  зразків  безпосередньо


               перед лазерним модифікуванням поверхні. Виявлено, що зі зростанням погон-
               ної  енергії  лазерного  променя  зростає  товщина  модифікованого  шару  та


               збільшується  об’ємний  вміст  часточок  SiC  у  ньому.  З  підвищенням  погонної
               енергії  понад  1100  Дж/см  часточки  SiC  інтенсивно  розчиняються  у  розплаві


               алюмінію, що погіршує характеристики шару. Тому прийняли, що оптимальні-

               ша  погонна  енергія  знаходиться  в  діапазоні  740...1100  Дж/см.  За  погонної

               енергії 740 Дж/см рівномірний розподіл часточок SiC по товщині модифікова-

               ного шару зберігається до глибини 0,9 мм, тоді як за 1100 Дж/см – до 1,1 мм.

                      За погонної енергії 740 Дж/см зі збільшенням розміру часточок SiC від 50

               до  150  мкм  товщина  модифікованого  шару  зростає  від  0,75  до  1,5  мм,  а

               об’ємний їх вміст у ньому – від 16 до 20,5 %.
   1   2   3   4   5   6   7