Page 166 - НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ

166

Рисунок 4.3 –

Включення Al 2Cu в

анодованому шарі

синтезованого твердим

імпульсним методом

на сплаві 1011.

4.2. Рентгенівський мікроспектральний аналіз твердо анодованих

шарів, синтезованих в режимі постійного чи імпульсного режимів

Поперечний переріз анодованих шарів, синтезованих за імпульсного

чи постійного режимів, та розподіл основних елементів по їх товщині пока-

зано на рисунку 4.4 а. Аналіз цих даних дає підстави стверджувати, що за

о

температури синтезу +5 С вміст Al та O по товщині шарів синтезованих
ТАШ і ІТАШ залишається практично незмінним. Виявили лише незначну

тенденцію до зниження вмісту сірки з наближенням до зовнішньої поверхні

ТАШ [311].

Розподіл Al, O, S по площі анодованих шарів, синтезованих в режимі

постійного та імпульсного режимів, показано на рисунку 4.5. Їх аналіз

підтвердив висновок про рівномірний розподіл всіх ключових елементів у

структурі анодованих шарів обох типів (ТАШ та ІТАШ).

Рівномірність розподілу Al, O, S у структурі анодованих шарів

підтвердили також результати аналізу в поперечному перерізі ТАШ та ІТАШ

(рисунок 4.6), синтезованих за температури –5 С, та їх аналіз по площі
о

(рисунок 4.7).
Отже за результатами досліджень з використанням рентгенівського

мікроспектрального аналізу прийшли до висновку, що розподіл ключових
елементів як по товщині анодованих шарів, так і по їх площі залишався доволі

рівномірним і не залежав від режиму анодування (за постійного чи
імпульсного).