Page 8 - <4D6963726F736F667420576F7264202D20E0E2F2EEF0E5F4E5F0E0F220F4B3EDE0EBFCEDE8E92033302030352032303136>
P. 8
-6-
займає третину всієї товщини, і нижню - менш порувату. Оксидний шар,
сформований на сплаві АМг-6 менш поруватий, ніж на А99, проте більше, ніж на
Д16Т. (рис. 2 в). Наявність міді у сплаві дозволяє формувати менш поруваті оксидні
шари.
Р° Al2O3 Р± РІ
Al2O3
Al2O3
Al сплав АМг-6 сплав Д16Т е
Al2O3 Рі Al2O3 Рґ Al2O3
TiO2 MgO ЕДП Д16
сплав ВТ-8 сплав МА-5 сталь
Рис.2. Мікроструктура оксидокерамічного шару, синтезованого на алюмінії А97 (а),
сплавах АМг6 (б), Д16 (в), ВТ-8 (г), МА-5 (д), сталь (е).
У структурі оксидного шару, сформованого на сплаві Д16Т так і на ЕДП із
нього, виявлено сегрегації виділень чистої міді мікронних розмірів (рис. 3). У каналі
іскрового розряду під час ПЕО утворюється і оксид алюмінію, і оксид міді. У
подальшому залишок розплаву алюмінію відновлює оксид міді до чистої міді.
Методом ПЕО напилених
алюмінієвих покриттів формували
оксидокерамічні шари на різних підкладках.
Електродугові покриття із дроту Д16
напиляли на підкладки із магнієвого сплаву
МА-5 та титанового сплаву ВТ-5 а також
Cu сталі 20.
Встановили, що за малої товщини
ЕДП керамічний шар проростає в магнієву
основу і утворює керамічне покриття з двох
Рис. 3. Сегрегація міді в оксидо шарів верхній сформований із оксиду
керамічному шарі на сплаві Д16Т. алюмінію, а нижній із оксиду магнію, який
вкритий тріщинами, що утворюються через
менший питомий об’єм оксиду магнію, ніж магнієвого сплаву, на якому формується
оксид магнію. Під час ПЕО керамічний шар проростає в основу з титанового сплаву.
Коли вершина іскрового каналу проникає в титанову основу, розплав титанового
сплаву по цьому каналу як по капіляру проникає наверх, формуючи таким чином
оксидний шар, що містиь як оксид титану, так і оксид алюмінію. За ЕДП (50-100
мкм) зі сплаву Д16 на сталі, коли під час формуванні оксидного шару він
переходить в основу, оксидний шар відшаровується.
